Diamond Blade Sawing용 절삭유
Diamond Blade Sawing용 절삭유
반도체 집적회로(IC)는 아주 작고 얇은 실리콘칩에 지나지 않지만 그 안에는 수만에서 천만개 이상의 전자부품들(트랜지스터, 다이오드, 저항, 캐패시터)이 가득 들어있습니다. 이러한 전자부품들이 서로 정확하게 연결되어 논리게이트와 기억소자 역할을 하게 되는 것입니다.
칩 속의 작은 부품들은 하나하나 따로 만들어서 조립되는 것이 아니라 부품과 그 접속 부분들을 모두 미세하고 복잡한 패턴(문양)으로 만들어서 여러 층의 재료 속에 그려 넣는 방식을 사용하는데, 반도체 제조 공정을 크게 보면 실리콘 웨이퍼상에 구현될 전자회로를 설계하는 과정(회로 설계), 설계된 전자회로를 각층별로 나누어 유리 마스크에 그리는 과정(마스크 제작), 웨이퍼 표면에 여러 종류의 막을 형성시켜 이미 만든 마스크를 사용하여 특정부분을 선택적으로 깍아내는 작업을 반복함으로써 전자회로를 구성해가는 전과정(웨이퍼 가공 : Fabrication/FAB), 웨이퍼상의 칩을 개개로 잘라서 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 과정(조립), 완성된 제품이 정상적으로 작동하는지를 검사하는 과정(검사)으로 나눌 수 있으며 보다 상세하게는 아래 그림의 공정과 같습니다.
(추후 첨가예정)
반도체 제조 과정의 웨이퍼 절단은 현재는 오래전부터 사용해 오던 절삭유체를 사용하는 Diamond Blade Sawing 방식과 최근에 개발된 Laser Sawing 방식을 병행하여 사용하고 있으나 향후에는 생산성이 높은 Laser Sawing 방식이 증가할 전망입니다.
TOPStream은 Diamond Blade Sawing 공정에 사용하는 절삭유체이며, TOPCover는 Laser Sawing할 때 웨이퍼 표면 보호를 위한 코팅제입니다.
물리적 특성
항목 | 규격 | 시험방법 |
주성분 | Nonionic Surfactant |
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외관 | Translucent Liquid | 육안검사 |
pH (at 20℃) | 5~6 | pH meter, Orion 520A |
비중 (at 20℃) | 1.02~1.03 | Hydrometer, Fisher Scientific |
희석비 | 3000:1 |
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특징
- Wafer sawing시 절단되는 단면으로 물이 잘 침투할 수 있도록 하며, 고속으로 회전하는 blade와 wafer 사이의 마찰력을 최소화 하며, 이로 인해 blade에 이물질들이 축적되는 것을 감소시켜 줍니다.
- Wafer 표면의 wetting을 증가시키고, 표면 장력을 저하시켜 wafer sawing시 이물질 발생과 열 발생을 막아줍니다.
- 실리콘 이물질 요인을 제거하고, galvanic 효과를 유발할 수 있는 bond pad를 보호하기 위해 electrochemical charge의 균형을 맞추는데 도움을 줍니다.
- Acoustic strength를 증가시켜 이물질을 빠른 시간에 제거할 수 있게 해 줍니다.
- Low ionic strength로 인해 이물질이 다시 부착 되는 것을 감소시켜 줍니다.
- 모든 공정에서 발생되는 이물질 제거 및 크리닝, 전자기성 물질의 이동을 감소시킵니다.
- Blade의 마찰력이나 wafer sawing 시 rubbing 되는 현상에 의해 발생되는 ESD를 줄여 피해를 감소시킵니다.
- Blade로 wafer를 4ⅹ4mm∼15ⅹ15mm Chip으로 Sawing할 때 냉각 및 윤활, 그리고 세정 효과가 우수합니다.
- 방청 효과가 우수하여 Wafer pattern에 부식을 발생시키지 않습니다.
- 낮은 농도로 희석(max. 3000)하여 Sawing 및 cleaning 하기 때문에 경제적입니다.
- 현시대에 요구되는 새로운 디자인의 제품 조건에 맞추어 개발 및 생산되는 제품으로 고객의 요구사항에 적극대처 가능합니다.
제품과 관련하여 문의사항이 있으시면 당사 영업팀 sales@inyourside.com 또는 031-459-3377로 연락 주시기 바랍니다.
